東芝は7日、43nmプロセスを利用し、ワンチップで16ギガビット(2ギガバイト)の大容量を実現したNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。製品サンプルの出荷を即日開始し、3月から四日市工場での量産を開始する。