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松下、従来比1,000万倍のダイナミックレンジを持つMOSイメージセンサ回路技術を開発

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広ダイナミックレンジ・MOSイメージセンサ
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　松下電器産業は5日、MOSイメージセンサのダイナミックレンジを1,000万倍にする回路技術により、明暗差の激しい被写体を鮮明に撮像できるイメージセンサ技術を確立したと発表した。

　今回開発されたダイナミックレンジ拡大技術は、撮像可能な入射光のダイナミックレンジを従来比1万倍の140デシベルへと拡大したほか、動くものの撮像や動きながらの撮像に強いグローバルシャッターをワンチップに搭載したもの。また、リアルタイムでの動画出力が可能で、画像処理に必要な外部メモリが不要という特徴も持っている。

　具体的には、被写体の暗い部分が明瞭に、また明るい部分が白飛びせずに写るように、3種類の露光時間で順に撮像が行われ、それぞれの露光で得られた複数の映像信号を画素に内蔵した合成回路で順に合成し、外部に出力するという仕組みだ。3種類の露光条件による映像信号の取得と合成は全画素で同時に行われ、出力までの間、映像信号は画素内のメモリ素子に保持されて行毎に外部へ順次出力される。また、メモリ素子を内蔵して信号処理を高速化した。

　今後は、νMaicoviconイメージセンサに同回路を搭載し、同社独自の無機材料イメージセンサ技術と組み合わせることで車載カメラやセキュリティ用監視カメラなど幅広い用途に対応していくとしている。
《富永ジュン》

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