2008年10月の富士通研究所に関するニュース一覧

エンタープライズ 2008.10.21(Tue) 16:09

富士通研、C帯で世界最高出力320Wの高出力・高効率増幅器を開発〜窒化ガリウムHEMTを採用

　富士通研究所は21日、窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT：High Electron Mobility Transistor）を用いて、C帯（4GHz〜8GHzの周波数帯）で300ワットを超える出力および効率60％の高出力・高効率増幅器を発表した。