2010年12月のLSI、IC、チップに関するニュース一覧

エンタープライズ 2010.12.7(Tue) 9:00

東芝、立体構造トランジスタでオン電流を従来比58％向上させる歪み印加技術を実証

　東芝は6日、20nm世代以降の超低消費電力・高性能LSIの実現に向け、「ナノワイヤトランジスタ」において、歪み印加技術によってオン電流を従来比58％向上できることを実証したことを発表した。