2011年12月のフラッシュメモリに関するニュース一覧

インテルとマイクロン、世界初の20nmプロセス技術に基づくフラッシュメモリの量産開始

　米インテルとマイクロン テクノロジー社は現地時間6日、NAND型フラッシュテクノロジーで世界初となる、20ナノメートル（nm）プロセス技術に基づく128ギガビット（Gb）および64ギガビットのマルチレベルセル（MLC）NAND型フラッシュメモリを発表した。