株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せるEUVリソグラフィ レジスト技術での課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「EUVリソグラフィ レジスト（メタルレジスト）」講座を開講いたします。
EUVレジストの基礎・要求特性・反応機構から、RLSトレードオフやStochastic欠陥への対応、メタルレジスト（MOR）の材料設計・高性能化・評価技術、高NA EUV時代を見据えた最新技術動向まで、次世代半導体微細加工を支える研究開発・実用化に直結する知見を一日で習得できる講座！
本講座は、2026年09月14日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1f17a6fc-72d4-6b9c-ad88-064fb9a95405
Live配信・WEBセミナー講習会 概要
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テーマ：EUVレジスト・メタルレジストの高性能化に向けた材料設計・反応機構・評価技術の最新動向
開催日時：2026年09月14日(月) 10:30-17:05
参 加 費：66,000円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminars/1f17a6fc-72d4-6b9c-ad88-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
セミナー講習会内容構成
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ープログラム・講師ー
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第1部 EUVレジストの基礎、要求特性および課題と対策、最新技術動向
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講師 Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏
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第2部 先端半導体用EUVレジスト材料とその進展
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講師 富士フイルム株式会社 エレクトロニクスマテリアルズ開発センター / 研究マネージャー 椿 英明 氏
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第3部 EUVレジスト材料の反応機構、高性能化とメタルレジスト材料の性能評価
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講師 量子科学技術研究開発機構 高崎量子応用研究所 量子機能創製研究センター／主幹研究員 山本 洋揮 氏
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第4部 EUVレジスト、メタルレジストの評価技術
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講師 リソテックジャパン株式会社／大阪公立大学 ナノサイエンス研究所 所長 博士（工学）／大学院工学研究科 客員教授 関口 淳 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
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・EUVレジストの基礎
・EUVレジストの要求特性、課題と対策
・EUVレジストの最新技術動向
・EUVレジストのビジネス動向
・半導体微細化を支えるフォトリソグラフィーの基本原理
・フォトレジスト材料の役割と進化の歴史
・EUVリソグラフィーの技術的特徴と実用化背景
・EUVレジスト特有の課題（RLSトレードオフ、Stochastic欠陥）
・CARおよびMORなど次世代レジスト技術の動向
・メタルレジストについて
・ブロック共重合体による自己組織化リソグラフィについて
・次世代リソグラフィの技術動向
本セミナーの受講形式
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WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
株式会社AndTechについて
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化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
https://andtech.co.jp/
株式会社AndTech 技術講習会一覧
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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。
https://andtech.co.jp/seminars/search
株式会社AndTech 書籍一覧
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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。
https://andtech.co.jp/books
株式会社AndTech コンサルティングサービス
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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
https://andtech.co.jp/business-consulting
本件に関するお問い合わせ
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株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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第1部 EUVレジストの基礎、要求特性および課題と対策、最新技術動向
【講演主旨】
メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在最先端の2nmノードの量産工程でEUVが用いられており、その役割は益々増大する。EUVレジストはこのようなEUVリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けている。
本講演では、EUVリソグラフィの概要を紹介した後、EUVレジストの基礎と要求特性、課題と対策、最新技術動向を解説する。注目されているEUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセスについても詳しく述べる。最後に今後のEUVレジストの技術展望についてまとめる。
【プログラム】
1.EUVレジストの基礎
1.1 EUVリソグラフィの概要
1.2 EUVレジストの設計指針
1.3化学増幅型EUVレジストの反応機構
1.4 EUVレジストプロセス
2.EUVレジストの要求特性
2.1化学増幅型EUVレジスト用ポリマー
2.2化学増幅型EUVレジスト用酸発生剤・クエンチャー
3.EUVレジストの課題と対策
3.1感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
3.2ランダム欠陥（Stochastic Effects）
4.EUVレジストの最新技術動向
4.1 EUVメタルレジスト
4.2 EUVメタルドライレジストプロセス
5. EUVレジストの技術展望
【質疑応答】
【キーワード】
EUVリソグラフィ、EUVレジスト、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス
【講演のポイント】
EUVレジストについて、基礎から要求特性、課題と対策、最新技術動向まで把握できます。最新のロードマップにおける位置づけ、ビジネス動向を確認できます。
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第2部 先端半導体用EUVレジスト材料とその進展
【講演主旨】
半導体の高集積化を支えるフォトリソグラフィー技術の進展を概観し、その中核材料であるフォトレジストの役割と進化について解説する。特に最先端のEUVリソグラフィーに焦点を当て、その技術的背景、実用化に至るまでの課題とブレークスルー、ならびにEUVレジスト材料における挑戦（感度・解像度・ラフネスのトレードオフ、確率的欠陥）について整理する。さらに、有機CARから金属酸化物レジスト（MOR）への展開などの最新動向を紹介し、今後の材料開発と半導体技術進展の方向性について理解を深める。
【プログラム】
1. 半導体の高集積化とフォトリソグラフィー
・半導体進化と社会的インパクト
・微細化の意義とムーアの法則
2. フォトレジストの基礎
・レジスト材料の役割と構成要素
・化学増幅レジストの発展
3. EUVリソグラフィーの実現
・露光技術の進展とEUVの位置づけ
・実用化に向けた課題とブレークスルー
4. EUVレジストにおける挑戦と変革
・EUVリソグラフィの特徴
・RLSトレードオフとStochastic欠陥
・材料設計・反応機構の理解
・新材料（MOR等）の動向
・各技術トピックスのレビュー
5. まとめと今後の展望
・材料技術の進化と産業へのインパクト
・次世代レジストの方向性
【質疑応答】
【キーワード】
EUVリソグラフィー、フォトレジスト、Metal Oxide Resist（MOR）、Stochastic欠陥、高NA EUV
【講演のポイント】
先端フォトレジスト材料開発を長年リードしてきた講演者が、EUVレジストの本質課題から最先端材料（MOR等）までを実例ベースで解説する。基礎から最新動向までを一貫して理解できる実践的講演である。
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第3部 EUVレジスト材料の反応機構、高性能化とメタルレジスト材料の性能評価
【講演主旨】
コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。
本講演では、EUV用レジスト材料の反応機構およびEUVレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化にについて解説します。特に、メタルレジスト材料の性能評価に関する研究について最近の研究成果を挙げながら紹介する。
【プログラム】
１．はじめに
1.1 リソグラフィ工程とリソグラフィ技術の変遷
1.2 EUVリソグラフィの現状と課題
1.3 EUVリソグラフィレジスト評価システム
２．EUV/EBレジストの反応機構
2.1 EUV/EBリソグラフィ用化学増幅型レジストの反応機構
2.2 EUV/EBレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化
2.3 次世代リソグラフィ用レジスト材料の要求特性
2.4 ＥＵＶ/EB化学増幅型レジストの問題点
2.5 ＥＵＶ/EBレジストの設計指針
３．メタルレジスト材料の性能評価
3.1 EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
3.2 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた有機無機ハイブリッドパターン形成
3.3 メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
3.4 メタルレジスト材料の性能評価
４．今後の課題
【質疑応答】
【キーワード】
EUVレジスト、EBレジスト、反応メカニズム、メタルレジスト、レジスト設計指針
【講演のポイント】
コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。半導体微細加工技術であるEUVリソグラフィは、今後デジタル社会の構築において極めて重要である。今後も更なる微細加工技術が要求されており、High-NA EUVリソグラフィなどをはじめ、次世代リソグラフィ技術が注目されている。
本セミナーでは、EUVリソグラフィ技術を中心に、EUVレジスト・リソグラフィの基礎とプロセス最適化・最新開発動向をはじめ、微細加工材料に関する最新動向について概説するとともに、我々の最新の成果を解説する。
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第4部 EUVレジスト、メタルレジストの評価技術
【講演主旨】
EUVレジスト材料開発と評価・プロセス技術について解説します。特に、現在、開発が進んでいる次世代EUVレジストである、メタルレジストの特徴と評価方法についても、解説します。
【プログラム】
１．EUVLの概要
1.1 EUVLの概要
1.2 EUVL用レジスト
２．アウトガス評価技術
2.1 EUVLレジストのアウトガス評価方法
2.2 EUVLレジストのアウトガス評価装置
３．EUVレジストの評価技術
3.1 EUV透過率測定
3.2 ナノパーティクル添加レジストの高感度化
3.3 屈折率nk測定
3.4 EUV2光束干渉露光
４．EUVメタルレジストの評価技術
4.1 メタルレジストの概要
4.2 EUVメタルレジストのアウトガス分析
4.3 EUVメタルレジストの問題点
５．EUVフォトレジストと電子線レジストの感度
【質疑応答】
＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以 上
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