米Intel、3次元トランジスタ技術の量産を年内に開始……22nmの「Ivy Bridge」に採用
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3次元トランジスタについては、同社の研究者により2002年に発表されたが、この度「Ivy Bridge」に採用され量産化されることになる。
同技術は、3次元構造のシリコンフィンによりトランジスタの集積度を高めている。また電流を従来の上側だけでなく両側面から制御することにより、より電圧が低く、電流を漏れにくくし、性能の向上や省電力化を図った。
22nmプロセスの3次元トランジスタは、2次元トランジスタと比べ、性能が37％向上したという。また同性能の32nmプロセスのプロセッサと比べ 消費電力が半分以下となった。ウェハの製造コストも、2～3％のコスト増に抑えられたという。
同社は3次元トランジスタのポイントとして、トランジスタの集積度は2年ごとに倍増すると提唱したムーアの法則が、引き続き有効になったことだとしている。将来的には、フィンをより高くしていくことで、さらなる性能の向上や省電力化が可能になるとしている。
