米インテルは26日（現地時間）、ニューメキシコ州リオ・ランチョにある半導体量産製造施設（Fab 11X）を45nmプロセスに対応させるため、10〜15億ドルを投じると発表した。 ニューメキシコのFab 11Xは、同社の45nmプロセス製造施設としては4番目になる。Fab 11Xでの同プロセスは2008年後半に製造を開始する予定。なお、オレゴン州にある製造施設（D1D）では、今年後半から製造が開始される予定。また、同プロセスの製造施設は、30億ドルを投じてアリゾナ州チャンドラー（Fab 32）と35億ドルかけてイスラエルのキリヤットガット（Fab 28）に建設中。Fab 32は今年後半に製造を開始し、Fab 28では2008年前半からの製造開始を予定しているという。 45nmプロセスは次期プロセッサー「Penryn（ペンリャン）」（開発コード）に採用され、各種OSやアプリケーションでの動作が確認されているという。
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