【ポイント】
○シリコンフォトニクスプロセスに適したナノインプリント用の光硬化性樹脂を開発。
○UV ナノインプリントを用いた大面積・高スループットのシリコンフォトニクスプロセスを確立。
○電子線描画による光導波路と変わらない特性を持つシリコン導波路の作製に成功。
【概要】
東京科学大学（Science Tokyo）* 工学院 電気電子系の雨宮智宏准教授、永松周学士課程学生、西山伸彦教授らは、東京応化工業株式会社の森莉紗子、藤井恭、浅井隆宏、塩田大らと共同で、UV ナノインプリント（UV-NIL）を用いたシリコンフォトニクスプロセスを開発しました。
ナノインプリントリソグラフィ（NIL）は、半導体における次世代リソグラフィ技術の一つとして期待されています。特に UV-NIL は実用的な量産技術として導入実績があります。
本研究では、シリコンフォトニクスプロセスに合わせた NIL 用の光硬化性樹脂の開発を行いました。さらに、SmartNIL(R)技術（用語 1）に基づいたロールオンプロセスの最適化を実施し、従来の 90 nm CMOS プロセスライン（用語 2）や電子線描画（用語 3）を用いて作られた光導波路と同程度の性能を得ることに成功しました。今回開発したシリコンフォトニクスプロセスでは、UV-NIL の大面積転写性や高スループット性を大いに活かすことができ、かつコストの観点からも優位性があると考えられます。
本研究は、東京科学大学内に設立された東京応化工業未来創造協働研究拠点において行われたもので、開発したナノインプリント用の光硬化性樹脂およびプロセスレシピは外部提供が可能です。併せて、本研究成果は、2025 年 1 月 25～30 日（現地時間）に米国サンフランシスコで開催される「SPIE Photonics West」にて報告されます。
詳細につきましては下記リリースをご覧ください。
UVナノインプリントを用いたシリコンフォトニクス半導体プロセスを開発
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