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ブリヂストン、口径5インチのSiCウエハの開発に成功

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ブリヂストンは、次世代パワー半導体用途として口径5インチ（直径127mm）の高品質SiCウエハ（基板）の開発に成功した。自動車やエネルギー分野など、幅広い活用を見込んでいる。

SiC（シリコンカーバイド）ウエハは、従来の基板材料であるシリコンウエハに比べ耐久性が高く、高温にも耐えられる特性を持つ。

同社が開発したSiCウエハは、独自の高純度粉体原料と最終製品まで一貫したクリーン製造プロセス技術が特徴で、今回新たなシミュレーション技術と温度制御技術を採用することで、高品質と口径拡大の両立に成功した。

この口径5インチのSiCウエハは、量産ウエハレベルの高い結晶品質を確保しており、次世代パワー半導体用途としての活用も見込まれる。

同社は、市場からのニーズがより高い口径6インチ品についても開発中で2012年下期の製品化を目指す。

9月11日から米国で開催される「ICSCRM 2011」に今回開発に成功した5インチのSiCウエハを出展する。
《編集部@レスポンス》

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