米インテルは22日（米国時間）、High-k（高誘電率）材料と、メタルゲートを採用した45nmプロセス技術「45nm High-kシリコン技術」によるCPU世代を始めとし、将来のCPU製品すべてについて鉛を完全に除去すると発表した。 同社によると、現在のCPUにおいて鉛は、チップを半導体パッケージに接合するさまざまなマイクロエレクトロニクスの「パッケージ」や、「突起電極（バンプ）」に使用されているという。 今回発表された45nm High-kシリコン技術のCPUには、次世代の「Core2 Duo/Quad」や「Xeon」が含まれており、これらの製品は2007年後半に量産開始される予定となっている。また、2008年には65nmプロセス技術によるチップセット製品についても、完全に鉛の使用を排除する計画だとしている。 なお、45nmシリコン技術を用いたCPUでは、鉛の除去だけでなく、High-k/メタルゲートのシリコン技術を採用してトランジスタ内のリーク電流を削減し、優れた電力効率と高性能を両立しているという。同社ではこれにより、小型で洗練されたデザイン、そして電力効率に優れたデスクトップPCやノートPC、携帯型インターネット端末、サーバの開発が行えるようになるとしている。
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