フラッシュメモリ 特集

ルネサスエレクトロニクスは、40nm（ナノメートル）プロセスのマイコン内蔵用フラッシュメモリを業界で初めて開発した。

　米インテルとマイクロン テクノロジー社は現地時間6日、NAND型フラッシュテクノロジーで世界初となる、20ナノメートル（nm）プロセス技術に基づく128ギガビット（Gb）および64ギガビットのマルチレベルセル（MLC）NAND型フラッシュメモリを発表した。

　米インテル コーポレーションとマイクロン テクノロジー社は現地時間14日、NAND型フラッシュメモリーの製造に利用される、20nm（ナノメートル）プロセス技術を発表した。20nmプロセス技術は、8Gバイト（GB）の多値セル（MLC）NAND型フラッシュメモリを実現する見込みだ。

　インテルは12日、業界最先端をうたう25nmプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリを搭載した「インテルSSD 320」シリーズを発表した。出荷を開始している。

　帝国データバンクは31日、大型倒産速報として、ハギワラシスコムが名古屋地裁へ民事再生法の適用を申請したことを報じた（同日付）。報告によれば、負債は約100億円。

　米インテルとマイクロン テクノロジーは現地時間17日、業界で最大容量・最小のNAND製品となる、25nm（ナノメートル）プロセス技術を採用した3ビット／セルNAND型フラッシュメモリの出荷を発表した。

　NECエレクトロニクスは17日、業界最小クラスの低消費電力を実現したフラッシュメモリ内蔵32ビットマイコンにおいて、78品種を製品化したことを発表した。

　トランセンドは22日、シンプルでコンパクトなデジタルミュージックプレーヤー「MP330」を発表。11月上旬から発売開始。価格はオープンで、予想実売価格は3,980円前後〜。

　パナソニックは20日、大容量のフラッシュメモリを搭載したデジタルハイビジョンビデオカメラ「HDC-TM350」、世界最軽量をうたった「HDC-TM30」の2モデルを発表。6月25日より発売する。

　サンコーは3日、ビデオカメラ機能付きのクロノグラフタイプ腕時計「VIDEO CAMERA Analog Watch 4GB−クロノ調モデル−」を発売した。価格は9,980円。

　サンコーは、容量4GBのフラッシュメモリを内蔵するボールペン型ビデオカメラ「VIDEO PEN VGA 4GB」を発売した。価格は6,980円。

　アイ・オー・データ機器は25日、4GBのフラッシュメモリを搭載するUSB接続ワンセグチューナー「SEG CLIP」（型番：GV-SC400）を発表。3月中旬に発売する。価格は10,600円。

　米SanDisk（サンディスク）は、世界初の高性能4ビット／セル（X4）のフラッシュメモリの量産を開始すると発表した。

　バッファローは12日、容量8GB/4GBで防水仕様のmicroSDHCカードなど28製品の価格改定を実施。最大で約40％の値下げとなっている。

　HSGインフォメーションは、ExpressCardスロットを装備するノートPC用に開発された、DELKIN DEVICESの大容量32GBの SSD「32GB ExpressCard34 SSD」を発表。12月26日より発売する。価格は12,800円。

　キングストンテクノロジーは25日、USBフラッシュメモリ「DataTraveler 150」シリーズの新製品として、容量が64GBの「64GB DataTraveler 150」（DT150/64GB）を発売した。価格はオープンで、予想実売価格は22,659円。

　東芝は20日、NAND型フラッシュメモリの生産体制強化を目的として、米SunDiskと共同出資する製造合弁会社の生産設備の一部を買い取ることで基本合意し、法的拘束力のない覚書を締結した。

　プリンストンテクノロジーは22日、2つのチップに同時に保存するDual転送を採用したUSBフラッシュメモリ「Xiao Dual Slide（シャオデュアルスライド）」（PFU-2XDSシリーズ）を発表。8月下旬より販売する。価格はオープン。

　日本ビクターは、フラッシュメモリ内蔵のコンポ「Memory COMPO」シリーズの新ラインアップとして、同社の携帯オーディオプレーヤー「alneo M」「alneo V」シリーズをダイレクトに接続できる「UX-GM55」を発表。

　サンワサプライは19日、31種類のメディアを読み書きできるCardBus接続の変換アダプタとして、高速転送モデル「ADR-PCMLTH」と通常転送モデル「ADR-XMSMP3」を発売した。価格はADR-PCMLTHが6,594円、ADR-XMSMP3が4,599円。

　米インテル コーポレーションとマイクロン テクノロジーは現地時間29日、業界初となる40nm（ナノメートル）以下のプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリとして、多値セル技術を採用した34nmの32Gビット製品を発表した。