米インテルと米マイクロン テクノロジーは29日、不揮発性メモリ（デバイスの電源を切ってもデータが消えないメモリ）の新技術となる「3D XPointテクノロジー」を発表した。 一般的な不揮発性メモリの「NANDテクノロジー」と比較して、最大で1,000倍の高速化が可能とのこと。NANDフラッシュ・メモリは1989年に登場しており、すでに25年前の技術がベースとなっている。「3D XPointテクノロジー」は、それ以来となる画期的な製造プロセス技術で、新世代の不揮発性メモリを製造可能だという。そのためインテルでは、「あらゆるデバイスやアプリケーション、サービスを変革させる可能性を秘めている」としている。 3D XPointテクノロジーは、高密度のクロスポイント配列構造に加え、メモリセルを複数の層に積層し、集積度も10倍向上させている。最初のメモリは2層で、容量はダイあたり128ギガビット（Gb）。今後予定される将来世代のメモリでは、メモリの積層数の増大に加え、容量をさらに増大させる方針だ。 両社は、今年後半に3D XPointテクノロジー製品のサンプル出荷を開始する予定。
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