STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、GaNアプリケーションに最適な新しい高電圧ハーフブリッジ・ゲートドライバを発表しました。同製品は、柔軟性を強化する機能を実装し、高い効率と堅牢性を特徴としています。
最新の「STDRIVEG610」および「STDRIVEG611」は、電力変換およびモーション・アプリケーションでGaN製品を管理するための2つの選択肢であり、コンスーマ / 産業機器において、優れた効率、電力密度および堅牢性を実現します。
STDRIVEG610は、300ナノ秒という極めて高速な起動が求められるアプリケーションに対応します。起動時間はLLCやACFなどのコンバータ・トポロジで重要なパラメータであり、バースト・モードでのターンオフ間隔を正確に制御します。
STDRIVEG611は、モーション制御アプリケーションのハード・スイッチング向けに最適化されており、ハイサイドの低電圧ロックアウト（UVLO）およびスマート・シャットダウンによる過電流保護などの追加保護機能を備えています。
両製品ともハード・スイッチングおよびソフト・スイッチングの両方のトポロジに適しており、組込みインターロック機能によってクロス・コンダクションによる貫通電流を防止します。STDRIVEG610は、電源アダプタや、充電器、力率改善（PFC）回路の性能を高めます。STDRIVEG611は、生活家電や、ポンプおよびコンプレッサ、産業用サーボ・ドライバ、FA（ファクトリ・オートメーション）向けのドライバを小型化すると共に効率と信頼性を引き上げます。
設計を簡略化するため、両製品ともハイサイド・ブートストラップ・ダイオードと6Vのハイサイド / ローサイド・リニア・レギュレータを集積しており、大電流能力と10ナノ秒未満に揃った短い伝播遅延時間を特徴としています。最適な駆動を実現するため、各ドライバは別々のシンク / ソース経路を持ち、2.4A / 1.2Ωのシンク・パラメータと1.0A / 3.7Ωのソース・パラメータを備えています。
集積されているUVLO保護機能が、低効率や危険な状態での動作を防ぎ、ローサイド / ハイサイドの600V GaNパワースイッチを保護します。また、過熱保護機能も備えており、最大±200V/ナノ秒までの高いdV/dt耐性があります。さらに、入力ピンの電圧範囲は3.3V～20Vと広いため、コントローラのインタフェース回路を簡略化できます。両デバイスとも待機中あるいはバーストモードでの電力を節約するためのスタンバイピンおよび、ケルビン・ソース駆動や電流シャント抵抗接続用の独立したパワー・グランドも備えています。
STDRIVEG610およびSTDRIVEG611は、幅広い機能を搭載しているため、周辺部材コストを低減するとともに、小型のQFNパッケージ（4 x 5mm）により実装面積を削減します。どちらも現在量産中で、単価は1000個購入時に約1.56ドルです。
また、開発期間の短縮に役立つ評価ボード「EVLSTDRIVEG610Q」および「EVLSTDRIVEG611」も提供されています。すぐに使用できるこれらの評価ボードには、600V高速ハーフブリッジ・ゲート・ドライバと、STのエンハンスメント・モード（ノーマリオフ型）GaN HEMTの「SGT120R65AL」（2個）が搭載されています。
詳細については、ウェブサイトをご覧ください。
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、約50,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、クラウド接続型自律デバイスの普及を可能にします。STは、すべての直接・間接排出（スコープ1および2）、ならびに製品輸送、従業員の出張・通勤による排出（スコープ3の注力分野）におけるカーボンニュートラル達成に向けた取り組みを進めており、2027年末までに再生可能エネルギーの使用率を100％にする計画です。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com）をご覧ください。
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STマイクロエレクトロニクス（株）
アナログ・MEMS・センサ製品グループ
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