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温度調節が不要な半導体レーザー――25ギガビット/秒（1波長）で次世代高速光通信に寄与

　日立製作所とOpnext, Inc.（オプネクスト）は29日、次世代高速光通信規格である100ギガビットイーサネット（10km伝送）を実現する技術として、 0℃～85℃で動作可能な、温度調節が不要な新しい非冷却半導体レーザーを開発したと発表した。

　非冷却半導体レーザーは、次世代の高速光通信規格として期待されている100ギガビットイーサネット向け光送受信機を、低コストで実現するためのキーデバイスとなる。このレーザーでは、1.3μm帯の中の4つの異なる波長を発振させる波長多重（Wavelength Division Multiplexing、WDM）方式を採用、それぞれ1290nm、1310nm、1330nm、1350nmの4波長で発振する。波長と波長の間に20nmの間隔があるため、温度が変化しても光信号の混信が少なく、半導体レーザーの波長を一定にするための温度制御が不要になった。

　これにより、1波長あたり25ギガビット／秒で動作するEA（Electro-absorption:電界吸収型）変調器と半導体レーザーを一体化させた「光変調器集積型レーザー」を開発し、実証実験において伝送速度25ギガビット／秒（1波長）で12kmの光ファイバー伝送に、世界で初めて成功した。

　なお本技術は、2月25日～28日に開催されている、光ファイバー通信会議「OFC（Optical Fiber Communication Conference）2008」（米国・サンディエゴ）にて、日立およびオプネクストの子会社である日本オプネクストとの共同で、ポストデッドラインペーパーとして発表された。

(冨岡晶@RBB 2008年2月29日 20:40)

キーワード：

日立製作所オプネクスト次世代通信ギガビット

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