nm(ナノメートル)技術 特集
インテルは24日、クアッドコア(4コア版)の第3世代インテル Coreプロセッサー・ファミリーを発表した。インテルの3次元トライゲート・トランジスター技術採用22nm(ナノメートル)プロセス技術を採用した世界初のプロセッサーとなる。
[ 2012年4月24日(火) 12時12分 ]インテルは13日、ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の新製品「インテルSSD 910シリーズ」を発表した。データセンター・ストレージとしての高い要求に対応できる処理性能、高耐久性、高信頼性が特長とのこと。
[ 2012年4月13日(金) 14時13分 ]米インテルとマイクロン テクノロジー社は現地時間6日、NAND型フラッシュテクノロジーで世界初となる、20ナノメートル(nm)プロセス技術に基づく128ギガビット(Gb)および64ギガビットのマルチレベルセル(MLC)NAND型フラッシュメモリを発表した。
[ 2011年12月7日(水) 15時15分 ]エルピーダメモリは1日、半導体メモリDDR3 SDRAMの新製品として、25nmプロセス世代となる2ギガビットの「EDJ2104BFSE」(データ幅×4ビット)と「EDJ2108BFSE」(データ幅×4ビット)を発表した。7月末からサンプル出荷を開始している。
[ 2011年8月1日(月) 16時15分 ]米インテル コーポレーションとマイクロン テクノロジー社は現地時間14日、NAND型フラッシュメモリーの製造に利用される、20nm(ナノメートル)プロセス技術を発表した。20nmプロセス技術は、8Gバイト(GB)の多値セル(MLC)NAND型フラッシュメモリを実現する見込みだ。
[ 2011年4月15日(金) 13時15分 ]米インテルは19日、60億ドル~80億ドルを製造施設に投資し、オレゴン州に新たな製造技術開発施設(ファブ)を建設し、既存の4拠点を次世代の22ナノメートル(nm)プロセス製造技術に移行するなどの計画を発表した。
[ 2010年10月20日(水) 14時45分 ]米インテルとマイクロン テクノロジーは現地時間17日、業界で最大容量・最小のNAND製品となる、25nm(ナノメートル)プロセス技術を採用した3ビット/セルNAND型フラッシュメモリの出荷を発表した。
[ 2010年8月18日(水) 13時18分 ]インテルは独時間5月31日、1秒あたり最大数兆回規模の計算処理を実現することが可能な“インテル メニー・インテグレーテッド・コア(MIC)アーキテクチャー”に基づいた新製品を投入する計画を発表した。
[ 2010年6月2日(水) 02時34分 ]インテルは17日、データセンター向けとなる最新CPU「インテルXeonプロセッサー5600番台」を発表した。
[ 2010年3月17日(水) 11時37分 ]米Intel(インテル)とMicron(マイクロン)は現地時間1日、世界初となる25nm(ナノメートル)プロセス技術を採用したNAND技術を発表した。
[ 2010年2月2日(火) 13時29分 ]インテルは24日、ノートPC向けのCPUとしてCore i7-920XM、Core i7-820QM、Core i7-720QMの3製品を発表。本日から発売を開始した。
[ 2009年9月24日(木) 18時36分 ]インテルは21日、NAND型フラッシュ・メモリを採用したソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の製造を、最先端の34nm(ナノメートル)プロセス技術による製造へ移行すると発表した。
[ 2009年7月22日(水) 11時44分 ]松下電器産業は7月下旬より、通信機能とアプリケーション機能を低消費電力化技術と45ナノメートルプロセスで1チップに統合したUniPhierシステムLSI(UniPhier4MBB+、品番:MN2CS0038)のサンプル出荷を開始する。
[ 2008年7月17日(木) 20時49分 ]米インテル コーポレーションとマイクロン テクノロジーは現地時間29日、業界初となる40nm(ナノメートル)以下のプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリとして、多値セル技術を採用した34nmの32Gビット製品を発表した。
[ 2008年5月30日(金) 16時44分 ]インテルは、モバイル機器向けCPU「Centrino Atom」の発表を記念して、搭載端末の斬新な利用モデルに関するアイデア募集および搭載端末の活用を促進するユニークなアプリケーション開発のコンテストを開催する。
[ 2008年4月2日(水) 15時36分 ]ニコンは26日、インテルに製品とサービスの供給において優れた成績を収めた企業に与えられる「プリファード・クオリティー・サプライヤー賞」を受賞したと発表。
[ 2008年3月26日(水) 17時54分 ]インテルは26日、サーバーおよびワークステーション向けの低消費電力が特徴のCPU「クアッドコア Xeon」のL5400番台の2製品「L5420」「L5410」を発表。
[ 2008年3月26日(水) 13時31分 ]日立製作所と米IBMは10日、32ナノメートル以降の半導体の特性評価に関する基礎研究を2年間にわたって共同で行うことで合意した。
[ 2008年3月10日(月) 19時34分 ]インテルは19日、8コアを実現したハイエンド・ユーザー向けデュアルソケットExtremeデスクトップ・プラットフォームを発表。開発コードネームは「Skulltrail」。
[ 2008年2月19日(火) 16時34分 ]NECは7日に、90ナノメートル(nm)世代の標準的なCMOS技術を用いて、実用レベルの高出力な60GHz帯送受信LSI技術を開発したことを発表した。
[ 2008年2月8日(金) 16時42分 ]富士通研究所は4日に、90ナノメートル(nm)世代の標準CMOS技術を用いたミリ波帯高出力増幅器を開発したことを発表した。
[ 2008年2月4日(月) 17時06分 ]東芝は1日、AV向けノートPCシリーズ「Qosmio」にWebオリジナルモデル「Qosmio G40W/96EW」を発表した。同社直販サイトにて本日より販売を開始。価格は356,900円。
[ 2008年2月1日(金) 13時27分 ]PCショップ「ドスパラ」でオリジナルPC「Prime」を展開するサードウェーブは20日、インテル製の最新CPU「45nm Hi-k Core 2 Duo」搭載のPC「Prime」と、ゲーミングPC「Prime Galleria」シリーズの4モデルを発売した。
[ 2008年1月20日(日) 00時00分 ]東芝は12日に、32ナノメートル(以下、nm)世代以降の高性能LSI以降に必須とされる3種類の主要技術について、実用水準の性能や加工効率を達成する新構造・新技術を開発したと発表した。今後も、2010年度前半の量産開始を目指して開発を継続する。
[ 2007年12月13日(木) 15時05分 ]富士通研究所と富士通は12日に、32ナノメートル(以下、nm)世代以降のロジックLSI向け技術として、マンガンを添加した銅配線と、超薄膜のバリアメタルを用いることにより、信頼性の高い多層配線を実現する技術を開発したことを発表した。
[ 2007年12月13日(木) 14時54分 ]東芝およびNECエレクトロニクスは27日に、32nm(ナノメートル、1ナノメートル=10億分の1メートル)世代のシステムLSIプロセス技術を共同開発することを発表した。
[ 2007年11月27日(火) 18時54分 ]米AMDは18日(現地時間)、2007年第3四半期の決算を発表した。これによると第3四半期の売上高は16億3,200万ドルで、2億2,600万ドルの営業損益、3億9,600万ドルの純損益を計上している。
[ 2007年10月19日(金) 17時08分 ]米インテルは26日(現地時間)、ニューメキシコ州リオ・ランチョにある半導体量産製造施設(Fab 11X)を45nmプロセスに対応させるため、10〜15億ドルを投じると発表した。
[ 2007年2月27日(火) 17時46分 ]特集・連載
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