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InGaAsPフォトニック結晶素子の構造
InGaAsPフォトニック結晶素子の構造
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  NTT、低消費・超小型の光ビットメモリを開発〜フォトニック結晶でメモリ時間150ナノ秒を達成

　NTTは24日、あらたな光ビットメモリの開発に成功し、最長150ナノ秒（従来比60倍）のメモリ持続時間を達成したことを発表した。