今回開発したReRAM素子（左）とトランジスタを組み合わせた構造（右）   記事本文に戻る     富士通研究所、次世代フラッシュメモリを担う低消費電力ReRAMを開発 　富士通研究所は14日、次世代不揮発性メモリのひとつ、ReRAM（抵抗メモリ）の低消費電力化と抵抗値のばらつきを低減することに成功したと発表した。