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東芝は6日、LSIの混載DRAMの新技術として、32Mbの実用的容量で世界最高速833MHzを実現する回路を開発したことを発表した。
混載DRAMは、外付けメモリに比べより高速参照できるため、大容量データを扱う画像処理LSIなどに採用されており、DRAM混載のシステムLSIは、次世代の高性能デジタル家電や、ゲーム、携帯電話、プロジェクタなど、高精細映像の大容量データを高速で処理するアプリケーションを中心に採用が検討されている。
。東芝はあらたに、対象領域を都度指定して読み書きする従来方式に替え、メモリ全体を仮想的に2分割して読み書きを並列・交互に処理して高速化する「擬似2ポート」方式を導入し、これに対応してデータ入出力の命令系統を見直すなど回路全般を最適化した。この結果、幅広い用途向けに実用的とされる32Mb以上の大容量混載DRAMで世界最高速動作を実現したという。
今後は、最先端65nmシステムLSIへの適用など、画像処理LSIの高速化等に応用される見込み。なお本成果については、2月3日から米サンフランシスコで開催中の半導体国際学会「ISSCC」（国際固体素子回路学会）においてすでに講演が行われいるとのこと。
東芝、世界最高速833MHzの混載DRAM技術を開発〜画像処理LSIの高速化に期待
2008年2月6日(水) 15時49分
混載DRAMの特長
擬似2ポート方式
チップ写真
《冨岡晶》
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