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30日、NECは世界最高速となる250MHz動作が可能な次世代磁気メモリの実証実験に成功したと発表した。
MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）は、通常のSRAMやDRAMのようにデータ保持に電力を必要とせず、フラッシュメモリのような書き換え回数の制限のない不揮発性メモリだ。また、今回実験に成功したMRAMは、トランジスタ2個と磁気抵抗素子1個からなるメモリセルと独自の回路方式により、現在のSRAMと同等な250MHzでの高速動作を実現した。これにより、システムLSIへの組込みの道が開け、カーナビ、ドライブレコーダなどのLSIへの搭載へと広げていく予定だ。
なお、実験に成功したMRAMの容量は、1メガビット。250MHz動作時でのアクセスタイムは3.7ナノ秒。今後はシステムLSIへ混載した形での実験、実用化へと進めたいとしている。
SRAM互換で250MHz動作する次世代磁気メモリ（MRAM）——NECが開発
2007年11月30日(金) 15時29分
今回実験に成功したMRAM
動作特性グラフ
《中尾真二》
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