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東芝とNECエレクトロニクスは27日、32nm（１nmは10億分の1m）世代のシステムLSIプロセス技術を共同開発することについて合意したと発表。今回の合意にもとづき、量産に向けた最先端プロセス開発を加速していくとともに、開発コストの負担を両社で分担し、投資効率の向上を図る。
32nm世代のプロセス技術開発では、高性能化・低消費電力化を実現するために非常に高度な技術が要求され、従来にも増して開発リソースの負担が増大する。そのため、現在45nmの共同開発を行っている東芝のアドバンストマイクロエレクトロニクスセンター（横浜市）で、引き続き32nm共同開発を進めることを決断した。
両社で開発するのは基幹プロセスとし、それ以外の付加プロセスや差異化プロセスについては、協議の上、個別にその扱いを決める。また、製品の生産は共同生産を視野に入れ、2008年中に方針を決定するという。
東芝/NEC、32nm世代のシステムLSIプロセス技術の共同開発を合意
2007年11月27日(火) 15時29分
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