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日本電気（NEC）は21日、高速デジタルLSIの低電力化が可能な組み込み型超小型多層巻構造オンチップインダクタ「3Dソレノイド型オンチップインダクタ」を開発した。
同インダクタは、多層巻構造の採用によりシリコン基板上のインダクタ素子を従来の1/6となる10μm四方に小型化したほか、配線の巻き方を工夫することで性能劣化要因を克服し、従来とほぼ同等の高周波帯域を確保したもの。LSI下層の微細なLow-k/Cu配線4層分を螺旋状に4回周回させることにより、従来の単純積重ね構造と比較して寄生容量を約30％低減しながらもほぼ同等の高速応答性を維持したのが特徴だ。さらに、既存の90nm世代の先端CMOS電流モードロジック回路と組み合わせて動作検証を行ったところ、動作電圧を1Vに下げた状態でも20Gbpsでの高速信号処理が可能という結果が得られた。
NEC、動作電圧1Vで20Gbpsの高速信号処理を実現した「3Dソレノイド型オンチップインダクタ」
2007年9月21日(金) 21時20分
《富永ジュン》
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