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キヤノン、ゴミ対策機構採用の1,010万画素普及型デジタル一眼レフ「EOS Kiss Digital X」

2006年8月24日(木) 23時52分
EOS Kiss Digital Xの画像
EOS Kiss Digital X
同社初のセルフクリーニングセンサーユニットを採用の画像
同社初のセルフクリーニングセンサーユニットを採用
背面には、2.5型23万画素液晶ディスプレイを装備の画像
背面には、2.5型23万画素液晶ディスプレイを装備
 キヤノンは、1,010万画素の普及型デジタル一眼レフカメラ「EOS Kiss Digital X」を9月8日に発売する。最大の特徴は、同社のデジタル一眼レフカメラ「EOS Digital」シリーズで初めてゴミ対策を施したこと。の画像
 キヤノンは、1,010万画素の普及型デジタル一眼レフカメラ「EOS Kiss Digital X」を9月8日に発売する。最大の特徴は、同社のデジタル一眼レフカメラ「EOS Digital」シリーズで初めてゴミ対策を施したこと。
 キヤノンは24日、1,010万画素の普及型デジタル一眼レフカメラ「EOS Kiss Digital X」を9月8日に発売すると発表した。最大の特徴は、同社のデジタル一眼レフカメラ「EOS Digital」シリーズで初めてゴミ対策を施したこと。ボディカラーは、シルバーとブラックの2種類を用意する。

 価格はオープンだが、実売予想価格は、ボディ単体で9万円前後、ボディと「EF-S 18-55mm F3.5-5.6 II USM」レンズをセットにしたレンズキットが11万円前後、レンズキットに「EF 55-200mm F4.5-5.6 II USM」レンズを加えたダブルズームレンズキットが13万円強の見込み。

 EOS Kiss Digital X(エックス)は、エントリー向けレンズ交換式デジタル一眼レフカメラ「EOS Kiss Digital N」(2005年3月発売)の後継モデル。EOS Kiss Digital Xの名称は、初代(1993年)の銀塩一眼レフカメラ「EOS Kiss」から数えて10代目となることから、10を表す“X”にしたという。

 撮像素子は、同社製で新開発の有効1,010万画素CMOSを採用。センサーのサイズは、いわゆるAPS-Cサイズ(22.2×14.8mm)で、撮像画角がレンズ表記焦点距離の1.6倍となる。画像処理エンジンは「DIGIC II」。AF測距点は、中央F2.8対応の9個所。

 また、同社初のセンサーダスト対策機構「EOS Integrated Cleaning System(EOS I.C.S.)」を採用し、総合的なゴミ対策を施している。まず、カメラ内部にゴミやホコリの出にくい機構・素材を採用しているほか、CMOSセンサー前面のローパスフィルターには帯電防止処理を行ない、ゴミの付着を抑えているという。さらに、ローパスフィルターに「セルフクリーニングセンサーユニット」を装着し、超音波による振動で付着したダストを振るい落とす。除去しきれないゴミは、同梱のRAW画像閲覧/編集ソフト「Digital Photo Professional 2.2」の「ダストデリート機能」によって、ゴミを目立たなくすることができるという。

 シャッター速度は1/4,000〜30秒で、フラッシュ同調速度は1/200秒以下。連写機能は約3コマ/秒、最大連続撮影可能枚数はJPEG画像(ラージファイン)の場合で約27コマ、RAW画像の場合が約10コマとしている。

 ファインダーはペンタミラーを採用し、視野率が約95%、ファインダー倍率は約0.8倍となっている。液晶ディスプレイは、従来比2倍の表示面積となる2.5型サイズで、視野角が160度、解像度は23万画素。

 記録メディアは、コンパクトフラッシュおよびマイクロドライブに対応。最大記録ファイルサイズは3,888×2,592ピクセル。撮像感度はISO100〜1,600。

 本体サイズは126.5×94.2×65mm、重さは約510g。電源には、リチウムイオンバッテリー「NB-2LH」を採用し、バッテリー寿命(CIPA規格)はフラッシュ撮影なしで約500枚、50%フラッシュ使用時で約360枚としている。
《高柳政弘》
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